您好,澳门新葡亰登录入口产品销售网欢迎您!

法律声明|联系我们|

澳门新葡亰登录入口

新闻文章
www.4288.com
技术中心
解决方案
产品导航
www.4288.com 您当前的位置: 澳门新葡亰登录入口 > www.4288.com > 行业动态
澳门新葡亰网站注册在工业生产中实际应用笔录
作者: 来源: 发布时间:2019-08-06


      摘要:近年来,单晶硅澳门新葡亰网站注册得到了广泛的应用。虽然采用半导体技术制造,但它们也采用电阻原理工作。单晶半导体中的电阻变化(压电效应)显着高于标准应变仪中的电阻变化,其电阻随结构的几何变化而变化。掺杂半导体中的电导率受到可由极小机械变形产生的变化(晶体栅格的压缩或拉伸)的影响。使用信号调理集成电路对信号进行温度补偿和放大,可提供优于分立电路的卓越性能。
      使用压阻式澳门新葡亰网站注册的新信号处理技术的半导体元件已经实现了标准误差参数的精确,自动和低成本的电子补偿。由此产生的简化和便利性开辟了广泛的新应用领域,包括使用桥式控制器来实现压力以外的性能。
      因为大多数控制系统使用电信号操作,所以在进一步处理或分析之前必须将压力或力转换为电流或电压。电容和电阻信号控制器通常用于此目的。电容式控制器将压力检测为与两个(或更多个)膜片之间的距离相关联的电容,该膜片响应于压力的变化而变化。为了提供有用的输出,该电容变化通常表示为AC信号的衰减或谐振电路中的频移。
            近年来,单晶硅澳门新葡亰网站注册得到了广泛的应用。虽然采用半导体技术制造,但它们也采用电阻原理工作。单晶半导体中的电阻变化(压电效应)显着高于标准应变仪中的电阻变化,其电阻随结构的几何变化而变化。掺杂半导体中的电导率受到可由极小机械变形产生的变化(晶体栅格的压缩或拉伸)的影响。结果,单晶控制器的灵敏度高于大多数其他类型的控制器。
 

远东3-1.jpg


具体优势是:
      1.高灵敏度,> 10mV / V.
      2.在恒定温度下具有良好的线性
      3.能够在没有信号滞后的情况下跟踪压力变化,达到破坏性极限
缺点是:
      1.满量程信号对温度的强非线性依赖性(高达1%/开尔文)
      2.初始偏移量大(达到满量程的100%或更多)
      3.偏移随温度的强漂移
      在限制范围内,这些缺点可以用电子电路补偿。
制造压阻式澳门新葡亰网站注册:
      为了优化这些控制器的应用,用户需要了解它们的结构,性质以及制造方法。晶片形式的单晶硅提供非常高的机械强度和弹性行为直到机械击穿,产生对机械老化和滞后仅具有较小响应的控制器。
      通过施加压力的变形导致隔膜边缘处的高水平机械张力。正面的半导体电阻通过压阻效应将这种张力转换为电阻变化。将电阻器定位在最高张力区域会增加灵敏度,但同时也会带来问题。例如,电阻器相对于膜片的重合失调在电阻器桥中产生大的不对称性,这导致与温度相关的误差和传递曲线中的非线性。即使微技术的极端定位精度在这种制造操作中也达到了极限。
      由于离子注入仅用掺杂剂原子取代每百万个硅原子中的一个,因此它整体地集成电阻器而不改变材料的机械性能。与具有胶合电阻条纹的控制器相比,半导体控制器不会出现过载或老化的机械缺陷。
      通过铝导体,半导体电阻器以桥接配置连接在一起并且附接到接合焊盘以用于电路互连。电阻器放置在膜片上,使得两个平行地经历机械张力而另外两个垂直于电流方向。因此,两对表现出彼此相反的电阻变化。这些对位于桥的对角线上,使得施加的压力产生桥的不平衡。
组装:
      在一个组装阶段,键合在晶片之间产生牢固的互连,其中不存在机械张力。由于Pyrex和硅具有几乎相同的热膨胀系数,因此这种连接也避免了热张力。然后从复合晶片上切下单个芯片,粘合到传统封装(通常是金属罐)中,并将其引线键合到封装电连接器上。
      组装方法对控制器的特性性能有很大影响。这些硅控制器将机械张力转换为电信号,无法区分由于信号(压力)引起的张力和由热变化或其他影响引起的张力。因此控制器数据倾向于具有热依赖性。另一方面,制造技术以低成本保证高精度和大体积,并且还允许将补偿电阻器和其他控制器(例如温度类型)集成在同一硅片上。
      澳门新葡亰网站注册的特征在于取决于目标应用的参数。比较是困难的,因为制造商目前对相同的控制器性能参数使用不同的术语。因此,用户应考虑与特定数据规范相对应的电源电压和电流的条件。最相关的参数是:
      α =电阻温度系数
      P nom =标称压力范围; 控制器符合给定数据的压力范围(以巴为单位)
      P max =最大压力范围; 控制器可承受的最大压力而不会损坏
      R B =整体电阻; 供电端子之间的电桥电阻随温度的变化而变化
      α 乙桥电阻的=温度系数; 桥梁阻力随温度的变化,以开尔文为单位; 在测量控制器温度时对信号处理电路有用
      V OS =偏移; 在恒定电源电压,无施加压力和参考温度下的差分电桥电压(以毫伏为单位)
      α VOS =偏移温度系数; 偏移量随参考温度偏差的变化,单位为毫伏/开尔文; 假设温度和偏移变化之间存在线性关系,这仅适用于有限范围
      S =灵敏度; 描述了控制器输出变化率与参考温度下施加压力之间的关系; 通常在满量程输出(FSO)下测量
      α S感光度的=温度系数; 灵敏度随温度的变化
      线性度=控制器的电压/压力关系,以偏移电压和灵敏度表示,不是非常线性的; 偏差<1%,但对于精密应用,必须考虑它们。
澳门新葡亰网站注册信号调节:
      如前所述,压阻式澳门新葡亰网站注册只有在对偏移进行校正后才能使用,以及由于它们对温度变化的敏感性和制造过程引起的其他影响。线性补偿也提高了精度,但对于大多数应用来说并非必需。对于中等精度控制器,电阻网络可以补偿失调,失调漂移和FSO漂移(见图1)。桥底部的低阻分压器可调节初始偏移。然而,桥式电阻器具有正温度系数,导致电桥电压随温度升高。
      为了解决这个问题,电阻Rts通过在温度上升时分流增加的激励电流来稳定灵敏度(并且由于桥电阻增加,桥电压也随之增大)。灵敏度本身具有负温度系数,因此漂移效应在一定程度上相互作用。以类似的方式,另一个电阻器R tz抵抗偏移随温度的变化。这些补偿校正彼此相互作用,需要校准方案有点麻烦,精度有限,并且实际上不可能实现为电子补偿。
 

上一篇:同类型的澳门新葡亰网站注册的优势及其使用
下一篇:返回列表

相关产品
  • 0812700_HERION澳门新葡亰网站注册_0-16KPa

    0812700_HERION澳门新葡亰网站注册_0-16KPa
  • 0815107_HERION澳门新葡亰网站注册_0-0.01MPa

    0815107_HERION澳门新葡亰网站注册_0-0.01MPa
  • D500/7DZ澳门新葡亰网站注册

    D500/7DZ澳门新葡亰网站注册
  • D505/7D澳门新葡亰网站注册_HERION_0816500

    D505/7D澳门新葡亰网站注册_HERION_0816500
  • D541/7T防爆温度控制器_HERION_0891580

    D541/7T防爆温度控制器_HERION_0891580
  • D520M/7DD防爆差压控制器_HERION_0818480

    D520M/7DD防爆差压控制器_HERION_0818480
  • 0810108_HERION双触点澳门新葡亰网站注册_-0.1-0MPa

    0810108_HERION双触点澳门新葡亰网站注册_-0.1-0MPa
  • 0815300_HERION澳门新葡亰网站注册_0-0.04MPa

    0815300_HERION澳门新葡亰网站注册_0-0.04MPa
  • D505/7DZ双触点澳门新葡亰网站注册_HERION_0816508

    D505/7DZ双触点澳门新葡亰网站注册_HERION_0816508
  • 0810200_HERION澳门新葡亰网站注册_-0.1-0.1MPa

    0810200_HERION澳门新葡亰网站注册_-0.1-0.1MPa